j9九游會登錄入口首頁IT之家 7 月 11 日消息，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心研究團(tuán)隊(duì)在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型 e-GaN 電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展j9九游會登錄入口首頁。

　　研究團(tuán)隊(duì)攻克了≥1200V 超薄 GaN（氮化鎵）緩沖層外延、p-GaN 柵 HEMTs 設(shè)計(jì)與制造、可靠性加固、高硬度材料封測等整套量產(chǎn)技術(shù)，成功開發(fā)出閾值電壓超過 2V、耐壓達(dá) 3000V 的6 英寸藍(lán)寶石基增強(qiáng)型 e-GaN HEMTs 晶圓。該研究發(fā)表在《IEEE Electron Device Letters》上并入選封面 highlight 論文。

　　在該項(xiàng)目的研究中j9九游會登錄入口首頁，研究團(tuán)隊(duì)還成功研發(fā)了8 英寸 GaN 電力電子芯片j9九游會登錄入口首頁，首次證明了 8 英寸藍(lán)寶石基 GaN HEMTs 晶圓量產(chǎn)的可行性，并打破了傳統(tǒng) GaN 技術(shù)難以同時(shí)兼顧大尺寸j9九游會登錄入口首頁、高耐壓j9九游會登錄入口首頁、低成本的國際難題，被國際著名半導(dǎo)體行業(yè)雜志《Semiconductor Today》專題報(bào)道。