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j9九游會(huì)登錄入口首頁中國電科發(fā)布第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備
發(fā)布時(shí)間:2024-05-26 23:27:45

  j9九游會(huì)登錄入口首頁記者18日從中國電子科技集團(tuán)有限公司獲悉,在日前舉行的中國國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料展上,該集團(tuán)旗下電科裝備成功發(fā)布立式LPCVD(低壓化學(xué)氣相淀積)設(shè)備。作為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備,其將為我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域快速并趕超國際先進(jìn)水平提供堅(jiān)實(shí)保障。

  第三代半導(dǎo)體是5G通信j9九游會(huì)登錄入口首頁、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)的基石,第三代半導(dǎo)體制造裝備是產(chǎn)業(yè)鏈的薄弱環(huán)節(jié)j9九游會(huì)登錄入口首頁。此次發(fā)布碳化硅用立式LPCVD設(shè)備,標(biāo)志著電科裝備在第三代半導(dǎo)體具備局部成套能力。據(jù)悉,該設(shè)備攻克了高潔凈度環(huán)境獲得、高穩(wěn)定壓力控制、高精度溫度控制等諸多技術(shù)難題,成功填補(bǔ)國內(nèi)空白,并取得國內(nèi)知名企業(yè)的訂單j9九游會(huì)登錄入口首頁。

  作為國內(nèi)最早研制第三代半導(dǎo)體碳化硅設(shè)備的單位,電科裝備自2017年起陸續(xù)推出并不斷優(yōu)化碳化硅高溫離子注入機(jī)、碳化硅高溫退火爐、碳化硅高溫氧化爐等裝備。下一步該企業(yè)將加速突破關(guān)鍵核心技術(shù)j9九游會(huì)登錄入口首頁,推動(dòng)設(shè)備占領(lǐng)價(jià)值鏈高端j9九游會(huì)登錄入口首頁,全力支撐我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全。