j9九游會登錄入口首頁記者18日從中國電子科技集團有限公司獲悉，在日前舉行的中國國際半導體設(shè)備與材料展上，該集團旗下電科裝備成功發(fā)布立式LPCVD（低壓化學氣相淀積）設(shè)備。作為第三代半導體關(guān)鍵制造裝備，其將為我國在第三代半導體領(lǐng)域快速并趕超國際先進水平提供堅實保障。

　　第三代半導體是5G通信j9九游會登錄入口首頁、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)的基石，第三代半導體制造裝備是產(chǎn)業(yè)鏈的薄弱環(huán)節(jié)j9九游會登錄入口首頁。此次發(fā)布碳化硅用立式LPCVD設(shè)備，標志著電科裝備在第三代半導體具備局部成套能力。據(jù)悉，該設(shè)備攻克了高潔凈度環(huán)境獲得、高穩(wěn)定壓力控制、高精度溫度控制等諸多技術(shù)難題，成功填補國內(nèi)空白，并取得國內(nèi)知名企業(yè)的訂單j9九游會登錄入口首頁。

　　作為國內(nèi)最早研制第三代半導體碳化硅設(shè)備的單位，電科裝備自2017年起陸續(xù)推出并不斷優(yōu)化碳化硅高溫離子注入機、碳化硅高溫退火爐、碳化硅高溫氧化爐等裝備。下一步該企業(yè)將加速突破關(guān)鍵核心技術(shù)j9九游會登錄入口首頁，推動設(shè)備占領(lǐng)價值鏈高端j9九游會登錄入口首頁，全力支撐我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全。